電壓型逆變器電路。在電路圖中首先標出了基本測量點，在這些測量點有可能檢測出故障電流。

過電流: 在測量檢測點 1-7
分支短路電流: 在測量檢測點 1-4 和 6-7
過載短路電流: 在測量檢測點 1-7
接地故障電流: 在測量檢測點 1, 3, 5, 6 或通過計算測試點1和2的差異得出
原則上對短路電流要求實行快速的保護措施，要求從驅(qū)動輸出級直接動作，因為晶體管必須在短路
發(fā)生后一定時間tsc_max (通常為10微秒)內(nèi)被關(guān)斷(通過主動控制可降低開關(guān)速度)。故障電流可能在測
量檢測點3，4，5，6，7被檢測到。
在測量檢測點1-5可以使用測量分流器或者感應式電流測量器(通常在測量檢測點5)進行測量。
測量分流器:
-- 測量方法簡單
-- 需要使用低歐姆 (1到100mW)、低感應的功率分流器
--測量信號有較高的抗干擾性
--測量信號不帶電位隔離
感應式電流測量器:
--比較測量分流器有明顯較高的成本(費用)
-- 比較測量分流器抗干擾性較低
-- 測量值帶電位隔離
在測量點6和7，故障電流的檢測可以直接在IGBT/MOSFET模塊的端口進行。在這里，保護方法可
以是vCEsat和vDS(on)的檢測(間接測量法)，或者鏡像電流檢測，它是使用檢測IGBT/MOSFET的傳感器
(利用IGBT傳感器電流鏡像測到故障電流
在IGBT上的傳感器是由在發(fā)射極的幾個傳感單元以及一根平行于電流通路的線路所構(gòu)成的。通過測
量電阻RSense就可以得到集電極電流的信息。在RSense=0時，電流在發(fā)射極和感應電路是理想分布，
它們之間的電流比值為發(fā)射極傳感單元數(shù)量同總傳感單元數(shù)量的比值。隨著RSense的增加，則測量回
路中導通電流將因為測量信號的反饋而減少。
因此，為了精確測量集電極電流，測量電阻RSense應限制在1到5歐姆的范圍內(nèi)。
如果關(guān)斷的電流門限值只是略高于晶體管的額定電流，那么在開通時出現(xiàn)的通過續(xù)流二極管的反向
電流峰值會超出門限電流，因此電流檢測必須在這段時間內(nèi)被關(guān)閉。
在檢測電阻RSense無限大時，器測量電壓等于集電極-發(fā)射極飽和電壓，因此，鏡像電流檢測轉(zhuǎn)化為
vCEsat檢測。
vCEsat 檢測
vCEsat檢測使用了晶體管數(shù)據(jù)文件資料給出的集電極電流和集電極-發(fā)射極電壓的特性(正向?qū)ㄌ匦?br /> 和輸出特性)。為此，一個快速高耐壓的二極管被用來檢測集電極-發(fā)射極電壓，并與一個參考值進
行比較。如果參考值被超過，錯誤信息存儲裝置就會被觸發(fā)并關(guān)斷晶體管。由于短路時晶體管能快
速脫離飽和區(qū)，所以，vCEsat檢測非常適合用于短路檢測，當晶體管因為故障沒有退出飽和區(qū)時(例
如，接地故障電流和過電流增長緩慢)，則其應用受到一定限制。
為了確保IGBT在正常開通，vCEsat檢測必須在開通后的一定時間內(nèi)不工作(被消隱)，直到集電極-發(fā)
射極電壓低于參考電壓值。因為在這段時間內(nèi)沒有短路保護，所以消隱時間不能超過tsc_max。
輸出特性對溫度的依賴性以及參數(shù)的離散性都對VCEsat檢測有不利的影響。然而同鏡像電流法相
比，vCEsat檢測的主要優(yōu)點是適用于任何標準的IGBT/MOSFET模塊。直接法)來得出故障電流。
降低故障電流
通過降低或限制故障電流，特別是在短路和對地連接呈低阻抗狀態(tài)時，晶體管開關(guān)能得到更好的保
護。
在短路2時，因為很高的dvCE/dt值導致柵極-發(fā)射極電壓突然升高，從而產(chǎn)生了動態(tài)短路電流升高。
這可以通過限制柵極發(fā)射極電壓來降低短路電流的幅度。在實際應用的例子中，通過這種保護技術(shù)，
穩(wěn)態(tài)的短路電流被限制在額定電流的2.5到3倍的數(shù)量值上。