電壓：它使用兩個極性來描述這之間的電壓。當正電極端口到負極端口的電壓為正，例如: 的VCE。

--C 集電極

--E 發(fā)射極

--G 柵極

--D 漏極

--S 源極

--K 陰極

--A 陽極

對于二極管不是用“AK”，而是用“F”代表正向(“正向”是從陽極電位同陰極電位的差l)和“R”的表示反向

電壓(“反向” ，陰極電位和陽極電位的差l)。對于晶體管的下標，除了兩個字母外還可以用第三個字

母表示連接狀態(tài)，例如: VCES是指IGBT的“柵極和發(fā)射極之間短路”。以下縮寫字母允許被使用:

-- S: 短路

-- R: 指定電阻電路;

-- V: 指定的外部電壓;

-- X: 指定電阻和外部電壓

在字母下標的前面或后面還可以使用另外的字母來表示元器件的參數(如V(BR)DS或VGE(th)或VCEsat)，有

無括號和大小寫均可，例如:

-- (BR): 擊穿電壓(“Break”);

-- sat: 飽和電壓(“saturation”);

-- (th): 門限電壓或開啟電壓(“threshold”);

-- clamp: 外部鉗位電路限制電壓。

電源電壓下標符號表示電源連接端口，它用兩個雙寫字母表示例如:VGG(柵極-發(fā)射極電流回路的電

源電壓)，VCC, VDD 。

電流: 它的下標字母是使用流入元器件端口的一個縮寫字母(例如，IG是柵極電流，G 代表柵極，C

代表集電極)。從端口流入的電流為正電流。在二極管中是用“F“表示正向電流(從陽極到陰極)和“R”

表示反向電流(從陰極到陽極)。但截止電流和漏電流例外，它們用二個下標字母表述了截止電壓加

在元器件的兩個端口。這里同電壓一樣，還可以用第三個字母表示連接狀態(tài)，例如: IGES。在這些

字母下標的前面或后面還可以使用另外的字母來表示元器件的參數，有無括號和大小寫均可，例如:

-- av: 平均值 (average value);

-- rms: 有效值 (root mean square);

-- M: 峰值 (maximum);

-- R: 周期 (repetitive) ;

-- S: 非周期 (spike);

-- puls: 脈沖調制 (Gleichstrom).

熱量參數: 溫度總是用大寫的T表示。最常用的下標有:

-- j 截止層(結)，老的參考書用“vj”表示

-- c 外殼，這里是指散熱底座

-- s 散熱板(片)，老的參考書用“ h”表示散熱器

-- r 參考點，通常指集成溫度傳感器

-- a 環(huán)境，這里通常是指冷卻液(水)的溫度

溫差以及熱阻(Rth)或熱阻抗(Zth)使用由連字符隔開的兩個字母，表示在這兩點之間的值，例

如，DT(j-a)和Rth(c-s)。

機械參數:這些參數主要涉及元器件的組裝。關鍵變量M是螺釘連接和散熱器安裝時的扭矩，還有變

量F是連接端口同安裝表面的作用力。

其他符號:對于一些在其他專業(yè)使用的術語和符號都可以被使用。有些使用括號表示開關狀態(tài)(on，

開通)(off，關閉)。

極限值，額定值

極限值、額定值通常以表格形式給出，有時也會以曲線圖的形式。

極限值 (Ratings)

在模塊的數據文件中給出的極限值是在模塊不會被徹底破壞時，電子，熱力和機械方面允許的邊界

值。“正常”的元件老化會發(fā)生在這些極限值內。每個極限值都是在特定的、不可忽視的限制條件下

得出的。在不同的環(huán)境條件下，可能會得出不同的極限值，因為它同環(huán)境條件有很緊密的聯系。

極限值是絕對的，在給出元器件的一組極限值中，即使超出其中的某一個極限值就會導致元器件的

損壞。除了“靜態(tài)”的極限值以外，還存在“動態(tài)”極限值，即限制了開關過程中工作點的移動(電流/電

壓)。除非另有說明，否則，在數據表中列出的極限值都是在芯片或者外殼溫度為25°C時得出的，

所以在較高的環(huán)境溫度時，極限值有可能會被降低。

額定值 (特征值)

額定值就是在一定的環(huán)境條件(通常是實際應用條件下)測試確定的元器件特征值。同樣，每個額定

值都是在一定的，不可忽視的環(huán)境條件下得出的。因為這些環(huán)境條件的不規(guī)范，額定值常常以典型

參數值給出。它通常是在參考溫度(芯片或外殼溫度)為25°C時給出的，有時也會在溫度為125°C或

150°C時給出參數。在不同溫度時，必須考慮額定值參數數值的變化，這種變化是同溫度有關。