功率半導(dǎo)體器件是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是電力電子技術(shù)發(fā)展的“龍頭”。從1958年美國通用電氣公司研制出世界上第一個工業(yè)用普通晶閘管開始，電能的變換和控制從旋轉(zhuǎn)的變流機組和靜止的離子變流器進入由功率半導(dǎo)體器件構(gòu)成的變流器時代。功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展經(jīng)歷了以下階段：
    大功率二極管產(chǎn)生于20世紀40年代，是功率半導(dǎo)體器件中結(jié)構(gòu)最簡單、使用最廣泛的一種器件。目前已形成整流二極管（Rectifier Diode）、快恢復(fù)二極管（Fast Recovery Diode—FRD）和肖特基二極管（Schottky Barrier Diode—SBD）等3種主要類型。
    晶閘管（Thyristor, or Silicon Controlled Rectifier—SCR）可以算作是第一代電力電子器件，它的出現(xiàn)使電力電子技術(shù)發(fā)生了根本性的變化。但它是一種無自關(guān)斷能力的半控器件，應(yīng)用中必須考慮關(guān)斷方式問題，電路結(jié)構(gòu)上必須設(shè)置關(guān)斷（換流）電路，大大復(fù)雜了電路結(jié)構(gòu)、增加了成本、限制了在頻率較高的電力電子電路中的應(yīng)用。此外晶閘管的開關(guān)頻率也不高，難于實現(xiàn)變流裝置的高頻化。晶閘管的派生器件有逆導(dǎo)晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管等。
    20世紀70年代出現(xiàn)了稱之為第二代的自關(guān)斷器件，如門極可關(guān)斷晶閘管（Gate-Turn-Off Thyristor—GTO），大功率雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT, or Giant Transistor—GTR），功率場效應(yīng)管（Power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor—Power MOSFET）等。
    20世紀80年代出現(xiàn)了以絕緣柵極雙極型晶體管（Insulated-gate Bipolar Transistor—IGBT, or IGT）為代表的第三代復(fù)合導(dǎo)電機構(gòu)的場控半導(dǎo)體器件。
    20世紀80年代后期，功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展趨勢為模塊化、集成化，按照電力電子電路的各種拓樸結(jié)構(gòu)，將多個相同的功率半導(dǎo)體器件或不同的功率半導(dǎo)體器件封裝在一個模塊中，這樣可縮小器件體積、降低成本、提高可靠性。
    值得指出的是新的一代器件的出現(xiàn)并不意味著老的器件被淘汰，世界上SCR產(chǎn)量仍占全部功率半導(dǎo)體器件總數(shù)的一半，是目前高壓、大電流裝置中不可替代的元件。