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變頻器IGBT模塊主要參數(shù)與基本特性

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  由于IGBT的優(yōu)良性能和市場(chǎng)需求的旺盛,它的發(fā)展十分迅速,IGBT自80年代后期投人市場(chǎng)以來,產(chǎn)品已經(jīng)系列化,模塊化,容量不斷提高。
  以西門子的產(chǎn)品為例,已經(jīng)有600V和1200V1700V和3300V四個(gè)電壓等級(jí)的系列產(chǎn)品。
一單元模塊:1200V的達(dá)到2400A,1700V的達(dá)到1800A,3300V的達(dá)到1200A。
兩單元摸塊:1200V的達(dá)到800A,1700V的達(dá)到600A,3300V的達(dá)到400A,
六單元模塊:1200V的達(dá)到100-400A,1700V的達(dá)到75-300A。
IGBT的主要參數(shù)與基本特性:
  通常IGBT的使用手冊(cè)給出如下的幾個(gè)主要參數(shù).
1、集電極發(fā)射極額定電壓Uces,這個(gè)電壓值是廠家根據(jù)器件的雪崩擊穿電壓而規(guī)定的,是柵極-發(fā)射極短路時(shí)IGBT能承受的耐壓值,也就是說Uces值小于等于雪崩擊穿電壓。
2、柵極-發(fā)射極額定電壓 Uges, IGBT是電壓控制器件,靠加到柵極的電壓信號(hào)控制IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷,而Uges就是柵極控制信號(hào)的電壓額定值。目前,IGBT的Uges值大部分為+20V,在使用中,設(shè)計(jì)的控制電壓值不能超過該值。
3、額定集電極電流Ic,該參數(shù)給出了IGBT在導(dǎo)通時(shí)能流過管子的持續(xù)最大電流。
4、集電極-發(fā)射極飽和電壓Uce(sat),此參數(shù)給出IGBT在正常飽和導(dǎo)通時(shí)集電極-發(fā)射極之間的電壓降,此值越小,管子的功率損耗越小。IGBT模塊的Uce(值約為2.5~3.5V)。
5、開關(guān)頻率,在IGBT的使用手冊(cè)中,開關(guān)頻率是以導(dǎo)通時(shí)間ton、下降時(shí)間tt和關(guān)斷時(shí)間toff給出的,根據(jù)這些參數(shù)可估計(jì)IGBT的開關(guān)頻率。IGBT實(shí)際工作頻率都在100KHZ以下。因此,開關(guān)頻率高也是IGBT的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)。

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